產(chǎn)品目錄繪圖 : | IR(L,F)I Series Side 1 IR(L,F)I Series Side 2 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 6.1A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 500 毫歐 @ 3.7A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 44nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 40W |
安裝類型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | TO-220-3 全封裝,隔離接片 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-220-3 |
包裝 : | 管件 |