分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRFD010 - MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 50V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 200 毫歐 @ 860mA, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 13nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | 4-DIP（0.300", 7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包裝 ： | 管件 |
