分離式半導體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRFBE30PBF - MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
PDF查詢| 產品目錄繪圖 ： | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 標準包裝 ： | 1,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 歐姆 @ 2.5A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.1A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 78nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 125W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝 ： | TO-220AB |
| 包裝 ： | 管件 |
