分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRFBE20L - MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 50 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6.5 歐姆 @ 1.1A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 38nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 54W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | I2PAK |
| 包裝 ： | 管件 |
