產(chǎn)品目錄繪圖 : | IRFBA22N50APBF Side |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 500V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 24A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 230 毫歐 @ 13.8A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 115nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 3400pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 340W |
安裝類型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | Super-220™ |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | SUPER-220™ (TO-273AA) |
包裝 : | 管件 |