分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRC634PBF - MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | IRC Series Side |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 電流感測 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 250V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 8.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 450 毫歐 @ 4.9A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 41nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 74W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-220-5 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-220-5 |
| 包裝 ： | 管件 |
