分離式半導(dǎo)體 - IGBT - 單路 - Infineon Technologies - IKD10N60R - IGBT 600V 20A 150W TO252-3
PDF查詢(xún)| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchStop™ |
| IGBT 類(lèi)型 ： | 溝道 |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 600V |
| Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)） ： | 2.1V @ 15V, 10A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 20A |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 輸入類(lèi)型 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PG-TO252-3 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
