分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Honeywell Microelectronics & Precision Sensors - HTNFET-D - MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | HTMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | - |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 400 毫歐 @ 100mA, 5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 2.4V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 4.3nC @ 5V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 290pF @ 28V |
| 功率 - 最大 ： | 50W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | 8-CDIP 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-CDIP-EP |
| 包裝 ： | 散裝 |
