分離式半導(dǎo)體 - RF 晶體管 (BJT) - Renesas Electronics America - HSG1002VE-TL-E - IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 10,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | NPN |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 3.5V |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 38GHz |
| 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率） ： | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 ： | 8dB ~ 19.5dB |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) ： | 100 @ 5mA, 2V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 35mA |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 4-SMD, 鷗翼型 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 4-MFPAK |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
