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分離式半導(dǎo)體 - IGBT - 單路 - Fairchild Semiconductor - HGTP10N120BN - IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB
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HGTP10N120BN|Fairchild Semiconductor
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
HGTP10N120BN
制造商型號(hào)： HGTP10N120BN
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
庫(kù)存狀態(tài)： 實(shí)時(shí)庫(kù)存查詢  所在地：深圳全新原裝現(xiàn)貨
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詳細(xì)參數(shù)
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： 400
系列 ： -
IGBT 類型 ： NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： 1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)） ： 2.7V @ 15V, 10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： 35A
功率 - 最大 ： 298W
輸入類型 ： 標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型 ： 通孔
封裝/外殼 ： TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： TO-220AB
包裝 ： 管件

旗下站點(diǎn)www.szcwdz.com相關(guān)詳細(xì)信息: HGTP10N120BN
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