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分離式半導(dǎo)體 - IGBT - 單路 - Fairchild Semiconductor - HGTD1N120BNS9A - IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA
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HGTD1N120BNS9A|Fairchild Semiconductor
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
HGTD1N120BNS9A
制造商型號(hào)： HGTD1N120BNS9A
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
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詳細(xì)參數(shù)
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： 2,500
系列 ： -
IGBT 類型 ： NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： 1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開） ： 2.9V @ 15V, 1A
電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： 5.3A
功率 - 最大 ： 60W
輸入類型 ： 標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型 ： 表面貼裝
封裝/外殼 ： TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： TO-252AA
包裝 ： 帶卷 (TR)

旗下站點(diǎn)www.szcwdz.com相關(guān)詳細(xì)信息: HGTD1N120BNS9A
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