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分離式半導體 - IGBT - 單路 - Fairchild Semiconductor - HGT1S14N36G3VLT - IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB
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HGT1S14N36G3VLT|Fairchild Semiconductor
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
HGT1S14N36G3VLT
制造商型號: HGT1S14N36G3VLT
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB
技術參考: Rohs PDF查詢
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詳細參數(shù)
產品變化通告 : Product Obsolescence 13/Aug/2010
標準包裝 : 800
系列 : -
IGBT 類型 : -
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大) : 390V
Vge, Ic時的最大Vce(開) : 2.2V @ 5V, 14A
電流 - 集電極 (Ic)(最大) : 18A
功率 - 最大 : 100W
輸入類型 : 邏輯
安裝類型 : 通孔
封裝/外殼 : TO-220-3
供應商設備封裝 : TO-220AB
包裝 : 帶卷 (TR)

旗下站點www.szcwdz.com相關詳細信息: HGT1S14N36G3VLT
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