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分離式半導體 - IGBT - 單路 - Fairchild Semiconductor - HGT1S10N120BNS - IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
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HGT1S10N120BNS|Fairchild Semiconductor
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
HGT1S10N120BNS
制造商型號： HGT1S10N120BNS
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
技術參考： Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài)： 實時庫存查詢  所在地：深圳全新原裝現(xiàn)貨
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詳細參數(shù)
產(chǎn)品培訓模塊 ： High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝 ： 50
系列 ： -
IGBT 類型 ： NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： 1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開） ： 2.7V @ 15V, 10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： 35A
功率 - 最大 ： 298W
輸入類型 ： 標準型
安裝類型 ： 表面貼裝
封裝/外殼 ： TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB
供應商設備封裝 ： TO-263AB
包裝 ： 管件

旗下站點www.szcwdz.com相關詳細信息: HGT1S10N120BNS
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