分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - TT Electronics/Optek Technology - HCT802 - MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 90V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 2A, 1.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 歐姆 @ 1A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-SMD，無引線 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-SMD |
| 包裝 ： | 散裝 |
