分離式半導體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America - HAT2199R-EL-E - MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
PDF查詢| 標準包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 11A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 16.5 毫歐 @ 5.5A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 7.5nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 寬） |
| 供應商設(shè)備封裝 ： | 8-SOP |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
