分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America - HAT2164H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3.1 毫歐 @ 30A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 50nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 7600pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 30W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SC-100, SOT-669 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | LFPAK |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
